Emir BardakçıCasi haciendo historia en la comunidad de semiconductores con su fenomenal trabajo de investigación que fue seleccionado para la estimada conferencia IEDM 2025, el jefe de Xiaomi, Lei Jun, anuncia finalmente que su equipo de investigación, concretamente el equipo de RF del teléfono móvil Xiaomi, consiguió desarrollar una nueva tecnología llamada Nitruro de Galio (GaN) para teléfonos móviles. Este avance aborda de forma significativa el pertinente problema del consumo de energía para la era de la red 6G y supone una mejora sustancial para el hardware de los futuros teléfonos Xiaomi.
Resolver el problema de la energía
Con la llegada de la tecnología móvil de próxima generación, 6G a partir de 5G, el consumo de energía de las velocidades de datos está poniendo a prueba la tecnología existente hasta el punto de colapsarla. El amplificador existente de Arseniuro de Galio (GaAs) que se ha utilizado durante las últimas cuatro décadas se está acercando a su punto máximo en términos de calor y eficiencia energética. Aunque el Nitruro de Galio (GaN) es un material mejor que su predecesor, su voltaje siempre ha tenido que ser alto (28V/48V), lo que no es factible en un smartphone.
El equipo de investigación de Xiaomi es uno de los que ha conseguido romper esta barrera. Han sido capaces de desarrollar una solución de bajo voltaje de GaN basado en silicio, que funciona eficazmente en las condiciones de potencia de un teléfono móvil. Este desarrollo ayuda a llenar el vacío existente entre los materiales de alto rendimiento y los de consumo.
Rendimiento récord
El artículo seleccionado describe un transistor de alta movilidad (HEMT de GaN) que ofrece un rendimiento extraordinario. Esta tecnología innovadora permite una eficiencia de potencia añadida de más del 80% a una tensión de funcionamiento baja de sólo 10 V. Esto supone una enorme mejora respecto a la tecnología anterior, con más densidad de potencia pero sin el problema de calentamiento de los materiales anteriores.
Así, mediante la optimización del semiconductor y la minimización de las pérdidas de la radiofrecuencia, Xiaomi ha demostrado que el GaN es viable para su incorporación en el frontal de RF de los teléfonos móviles. Este trabajo no sólo valida la tecnología en el círculo académico, sino que también abre la puerta a la producción en serie, garantizando que los teléfonos sean más rápidos y fríos en un futuro muy próximo.
